基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunhaifeng112
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提出了一个新的小尺寸 CMOS倒相器延迟模型 ,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据 ,模型计算结果与SPICE BSIM1模型的模拟结果吻合得很好 .
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