大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器的直流和1/f噪声性质

来源 :中国激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：twffhvknnh

【摘要】

：

对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究。DC检测发现,V-I和IdV/dI-I可以对LD的电流泄漏作出判断。LFN检测发现,小注入下的1/f低频电压噪声幅值BV(I)∝IβV。理论分析和老化实验均表明,电流指数βV与载流子输运和电流泄漏机制之间有很好的相关性,存在电流泄漏和无辐射复合的器件其βV较小,可靠性较差。

【作者】

：

张爽郭树旭郜峰利郭欣曹军胜于思瑶

【机构】

：

吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春130012吉林大学物理科学学院,吉林长春130026

【出处】

：

中国激光

【发表日期】

：

2008年35期

【关键词】

：

激光器半导体激光器可靠性 1/f噪声直流特性电流泄漏 lasers semiconductor lasers reliability 1/f noise

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