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阐述了功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ器件热阻测试中温敏参数ＶＧＳＦ和测试电流Ｉｍ的选取，给出了１￣５Ｗ器件典型温敏参数的温度测试系数Ｍ与测试电流Ｉｍ的关系。讨论了测试延迟时间ｔｍｄ对ΔＶＧＳＦ测量值的影响和三种校正方法。
功率GaAs MESFET的热阻测试
【摘 要】
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阐述了功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ器件热阻测试中温敏参数ＶＧＳＦ和测试电流Ｉｍ的选取，给出了１￣５Ｗ器件典型温敏参数的温度测试系数Ｍ与测试电流Ｉｍ的关系。讨论了测试延迟时间ｔｍｄ对ΔＶＧＳＦ测量值的影响和三种校正方法。
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1996年4期
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