【摘 要】
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A.引言 1.本征噪声源微波GaAsFET的噪声由两个方面引起:器件本征噪声源以及与寄生电阻相关的热噪声源。本征噪声起因于两个机构。其一是在“欧姆性”沟道区,即区域Ⅰ中产生
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A.引言 1.本征噪声源微波GaAsFET的噪声由两个方面引起:器件本征噪声源以及与寄生电阻相关的热噪声源。本征噪声起因于两个机构。其一是在“欧姆性”沟道区,即区域Ⅰ中产生的热噪声,或称约翰逊噪声(Johnson noise)。
A. Introduction 1. Intrinsic noise sources The microwave GaAsFET’s noise is caused by two aspects: the device’s intrinsic noise source and the thermal noise source associated with the parasitic resistance. The intrinsic noise is caused by two bodies. One is thermal noise, or Johnson noise, that is generated in the “ohmic” channel region, Region I.
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