【摘 要】
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与传统硅基器件相比,氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件具有更快的开关速度,更小的开关损耗并且无反向恢复损耗,这使得氮化镓器件在高频和高功率密度应用场合具有突出优势
【机 构】
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深圳市供电局电力科学研究院,北京信息科技大学自动化学院,北京交通大学国家能源主动配电网技术研发中心
【基金项目】
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北京市自然科学基金资助项目(3204040,3202010),深圳市供电局科技资助项目(090000KK52180092),北京信息科技大学促进高校内涵发展科研水平提高资助项目(2020 KYNH209)
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与传统硅基器件相比,氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件具有更快的开关速度,更小的开关损耗并且无反向恢复损耗,这使得氮化镓器件在高频和高功率密度应用场合具有突出优势。高频工况下高精度测试方法是目前研究的热点,其中双脉冲测试DPT(double pulse test)电路是器件动态性能测量的常用方法。然而,该方法必须采用漏极电流探头进行采样,而同轴分流器电流探头极大地增加了回路寄生电感,这与氮化镓实际工况差距非常大,将影响开关特性和损耗测试的准确性。提出了一种适用于桥式氮化镓电路的新颖测试
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