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在大集成电路制造中常用反应离子刻蚀，但对于加工２００ｍｍ以上直径的片子和０．２５μｍ的线宽及孔洞，它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备（ＥＣＲ，ＩＣＰ，ＨＷＰ）和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确，可改善图形的保真度。本文介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展，阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子何不原的工作原理和干法刻蚀的关