电泳淀积图形化碳纳米管场发射阴极及其场发射特性研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：suease

【摘要】

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基于电泳和半导体工艺,制备了图形化的碳纳米管场发射阴极.用较高的电场激活碳纳米管薄膜,使得碳纳米管的场发射特性有了很大的改善,讨论了这一激活过程的物理机制.研究表明,

【作者】

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吕文辉宋航金亿鑫赵辉赵海峰李志明蒋红缪国庆刘乃康

【机构】

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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130033中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130033;

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

碳纳米管场发射阴极电泳淀积电场激活物理机制

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基于电泳和半导体工艺,制备了图形化的碳纳米管场发射阴极.用较高的电场激活碳纳米管薄膜,使得碳纳米管的场发射特性有了很大的改善,讨论了这一激活过程的物理机制.研究表明,这一激活过程可能的物理机制一方面是由于碳纳米管薄膜表面形貌发生了变化,增大了碳纳米管的场增强因子;另一方面是由于碳纳米管表面吸附的气体脱附,降低了碳纳米管的表面功函数.电场激活处理后,碳纳米管薄膜的开启电场为2.1 V/μm,应用电场为6 V/μm时,电流密度达到1.19mA/cm2.该图形化的碳纳米管场发射阴极可以应用到高分辨率场发射显示器.

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