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绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）自发明以来，为了尽快提高性能，实现产业化。科研工作者在IGBT结构上不断改进，以期能进一步减小功耗，改善高温特性，扩展开关安全工作区（SOA），降低制造成本。本文从提高IGBT耐压和通态电流出发，简单介绍一下IGBT的结构设计。