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本试验应用RAPD标记技术对氮离子注入和γ射线辐射谷子种子引起的后代个体基因组DNA变异进行检测并作比较。145份材料在经筛选后的10个具多态性的随机引物上扩增得到94个多态性位点，145份材料之间的平均遗传距离为0．1978。结果表明低能氮离子注入谷子种子可以引起体内基因组DNA发生突变，经氮离子束注入的后代遗传差异大于γ射线处理引起的后代遗传差异。其中剂量为2．5×10^10N^＋／cm^2的氮离子束处理引起的后代遗传差异最大，平均遗传距离为0．1920，表明离子束注入应用于谷子诱变育种可以