集成电路工艺节点的持续缩小对光刻机的套刻精度提出了越来越高的要求,而掩模与硅片位置对准精度是保证套刻精度的关键。对于10nm工艺节点,套刻精度要求在3nm以下,相应的对准精度要求达到了亚纳米量级。在掩模与硅片位置对准过程中,硅片位置测量是通过硅片对准标记实现的,硅片对准标记经过化学机械抛光(CMP)等工艺后会发生非对称变形,这种非对称变形会带来对准位置测量误差。目前普遍采用工艺验证的方法修正这种对准位置测量误差,该方法通过测量已制作完成的两层图形的相对位置偏差,修正相同工艺中的对准测量误差。然而,即使在同一产品批次或不同批次之间,甚至在同一硅片的不同曝光场之间,这种非对称变形也存在一定变化,因此这种工艺验证的方法存在一定的工艺适应性问题。对于产生非对称变形后的对准标记,在采用不同波长和偏振态照明时,对准位置测量结果存在差异。基于这种对准位置差异,本文提出一种对准标记非对称变形导致的对准测量误差修正方法,相比于工艺验证方法,该方法具有较高的工艺适应性。另外,本文将该方法拓展应用于套刻标记非对称变形导致的套刻测量误差修正。