【摘 要】
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1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来,特别是1975年氢化非晶Si的p型与n型掺杂控制的实现,非晶半导体作为一个重要的电子材料,在过去的30多年中吸引
【机 构】
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Kanazawa大学工学部电气与计算机工学研究科,北京工业大学材料科学与工程学院
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1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来,特别是1975年氢化非晶Si的p型与n型掺杂控制的实现,非晶半导体作为一个重要的电子材料,在过去的30多年中吸引了大量的基础研究并得到了广泛的应用.本文综述了至今为止非晶半导体重要的研究与应用进展,并探讨非晶半导体今后主要的发展趋势.
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