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MOS是一种半导体电路的结构形式,它可用于:(1)采用氧化膜把栅极与沟道绝缘的场效应管;(2)极板;(3)有源区是金属一氧化物半导体的夹心层的电路。而FET是输出电流的大小受输入电压控制的一种电场效应晶体管,α-SiTFT和p—SiTFT都是基于场效应管的工作原理。MOSFET是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件,可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管。