强束流Ta离子注入铝的研究

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【摘要】

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利用从金属蒸汽真空弧离子源引出的强束流Ta离子,进行了Ta离子注入铝的研究.研究结果表明,在离子注入剂量为5×1017cm-2,平均束流密度为40μA@cm-2,加速电压为42kV下,Ta

【作者】

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杨建华

【机构】

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南通工学院

【出处】

：

理化检验(物理分册)

【发表日期】

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2001年6期

【关键词】

：

背散射 X射线衍射离子注入铝电阻功能材料钽离子强束流 RBS XRD Ion implantation Al

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利用从金属蒸汽真空弧离子源引出的强束流Ta离子,进行了Ta离子注入铝的研究.研究结果表明,在离子注入剂量为5×1017cm-2,平均束流密度为40μA@cm-2,加速电压为42kV下,Ta离子注入能在铝表面形成相应的合金层.借助卢瑟福背散射(RBS)和X射线衍射(XRD)分析,我们发现表面合金层中形成了Al3Ta相,Ta在铝中能产生10%以上的原子百分浓度,其深度高达200nm.

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