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对于上下电极双射频源的电感耦合（ICP）等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析．实验以氧气作为反应气体，采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定．结果表明，下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中（改变上下电极功率和气体压力）不再是平常认为的简单的比例关系，而是随着条件的改变，对应的趋势比例关系会发生转折性变化，这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生．