D类音频Direct FET MOSFET

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IR公司推出用于中功率D类音频放大器的Direct FET MOSFET IR6665, 器件的参数进行特别调整以改善音频性能如效率、总失真(THD)和功率密度。除了应用调整,IR的Direct FET封装技术由于降低引线电感也增强D类放大器电路的性能,这种电感的降低提升了开关性能,并降低了EMI噪音。热效率能使向 IR Corporation introduced the DirectFET MOSFET IR6665 for mid-power Class-D audio amplifiers with special adjustments to the parameters of the device to improve audio performance such as efficiency, total distortion (THD), and power density. In addition to application tuning, IR’s DirectFET package technology enhances Class D amplifier circuit performance by reducing lead inductance, which reduces switching inductance and reduces EMI noise. Thermal efficiency can make
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