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报道了在铝酸镧（00l）衬底上生长Tl-1223超导薄膜的快速升温烧结方法以及铊（Tl）源陪烧靶的配比对Tl-1223薄膜晶体结构的影响.扫描电子显微镜观测表明,采用快速升温烧结方法生长的Tl-1223超导薄膜具有致密的晶体结构.X-射线衍射等测试表明,采用合适配比的陪烧靶在氩气环境下可以制备出纯c轴取向的Tl-1223超导薄膜,充氧退火后的薄膜具有较好的电学性能,其临界转变温度T（c onset）达到116K,临界电流密度达到1.5MA/cm2（77 K,0 T）.实验结果表明,采用这一新的烧结方法制备