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报道了N型高纯区熔硅单晶的高分辨率光热电离光谱（PTIS），观察到2个新的谱线系列，结果表明新的谱线系列可能与2个“类氢”复合型浅施主中心（NSD）有关，其浓度低达－10^9cm^-3，电离能分别为36．61meV和36．97meV，另外，对P和NSD（1）都观察到以前未能分辨的与6p±以上杂质激发态有关的谱线，分析表明，NSD可能是晶体生长过程中产生的，氧可能在其中起重要作用。