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发展了恒温电容瞬态数据处理方法,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICTTS方法测量分析了C70固体/p-GaAs异质结的深能级,结果发现在C70固体中存在两个很深的空穴陷阱,H1和H2,它们的能级位置分别为Ev+0.856 eV和Ev+1.037 eV.
在C70固体/p-GaAs结构中的甚深深能级
【摘 要】
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发展了恒温电容瞬态数据处理方法,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICTTS方法测量分析了C70固体/p-GaAs异质结的深能级,结果发现在C70固体中存在两个很深的空穴陷阱
【机 构】
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北京大学物理学院,北京,100871福州大学电子科学与应用物理系,福州,350002;北京有色金属研究院,北京,100088;
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年10期
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