【摘 要】
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Notre Dame大学的研究者们称,硅基侧向AlGaN/GaN肖特基势垒二极管可实现行业内最高1.9kV的击穿电压美国Notre Dame大学的研究者称,在硅基AlGaN/GaN肖特基势垒二极管可实现行
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Notre Dame大学的研究者们称,硅基侧向AlGaN/GaN肖特基势垒二极管可实现行业内最高1.9kV的击穿电压美国Notre Dame大学的研究者称,在硅基AlGaN/GaN肖特基势垒二极管可实现行业内最高的击穿电压,为1.93kV。研究者称:“本次实验获得的击穿电压是在已报道的硅基氮化镓二极管上获得的最高值。”并且“该器件性能与技
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