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半导体晶片的加工质量和精度．直接影响到器件的性能。本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法，并详细论述了化学机械抛光的原理。加工后的SiC单晶片，平整度为±3μm，粗糙度〈5nm，且应力较小。
SiC单晶片的超精密加工
【摘 要】
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半导体晶片的加工质量和精度．直接影响到器件的性能。本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法，并详细论述了化学机械抛光的原理。加工后的SiC单晶片，平整度为±3μm，粗糙度〈
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2006年1期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（B63计划）资助项目（2001AA311080）,国家自然科学基金资助项目（60025409,50472068）
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