【摘 要】
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本文描述双极场引晶体管（BiFET）短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇文章里,两维晶体管分成两个区域,源区和漏区
【机 构】
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北京大学,佛罗里达大学,中国科学院外籍院士
【基金项目】
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该研究及揭斌斌由 CTSAH Associates （CTSA）资助.CTSA由萨故夫人张淑南创建.萨支唐写成此摘要基于揭斌斌的现代语初稿.感谢潘胜和北京大学原物理系教师赵立群和潘桂明的修改建议. We thank Professors Xing Zhou （Nanyang Technological University, Singapore） Chenming Hu （University o
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本文描述双极场引晶体管（BiFET）短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇文章里,两维晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区.把两维无缺陷Shockley方程分离为两个以表面势为参变量的一维方程,并运用源区和漏区界面处电子电流和空穴电流连续性,得到在源区和漏区内解析方程.典型BiFET包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（ MOS）栅.用图形提供实用硅基和氧化层厚度范围内,随直流电压变化,输出
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