【摘 要】
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基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立起MOSFET抗辐照能力预测模型.利用该模型,可较好地通过辐照前的1/f噪声参量,预测辐照后
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,西安电子科技大学微电子学院
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基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立起MOSFET抗辐照能力预测模型.利用该模型,可较好地通过辐照前的1/f噪声参量,预测辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移的情况.模型模拟结果与实际测量结果符合良好,验证了预测模型的正确性,并为工程应用提供MOSFET抗辐照能力预测方法.
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