【摘 要】
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在含有ZnSO4,SC（NH2）2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn（OH）2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜
【机 构】
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安徽工程科技学院机械工程系,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（批准号：2004AA513021）,安徽省高等学校青年教师科研基金（批准号：2006jq1151）和安徽省教育厅自然科学基金（批准号：KJ20078062）资助项目
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在含有ZnSO4,SC（NH2）2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn（OH）2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜透过率（λ〉500nm）约为90%,薄膜的禁带宽度约为3.51eV.ZnS薄膜沉积时间对Cu（In,Ga）Se2太阳电池影响显著,当薄膜沉积时间在25～35min时,电池的综合性能最好.对比了不同缓冲层的电池性能,采用CBD-CdS为缓冲层的电池转换效率、填充因子、开路电压稍高于CBD-ZnS为缓冲
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