【摘 要】
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室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜
【机 构】
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太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原理工大学物理系,太原理工大学材料科学与工程学院
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室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚。紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好。适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理。
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