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将Ta2O5与V2O5均匀混合，压制成溅射靶，用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火，形成掺杂二氧化钒多晶薄膜。x射线衍射结果显示，薄膜具有单一的（002）取向。XPS测试表明，膜中v为＋4价，Ta以替位方式存在。温度一电阻率测试表明，薄膜具有明显的相变行为，原子比为3％的Ta掺杂后，二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃。Ta原子的半径大于V原子的半径，Ta的掺入在薄膜中引入了张应力；5价Ta替代4价V，在d轨道中引入多余电子，产生施主能级，这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜