PbTiO3铁电薄膜晶化工艺研究

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对sol-gel法制备的PbTiO3薄膜采用不同晶化工艺进行晶化,研究了晶化温度和基片对薄膜晶化的影响。研究表明,采用快速晶化工艺时,在550-750℃的较宽温度范围内,薄膜能够结晶形成稳定钙铁矿相结构,在LaAlO3基片上能获得结晶良好、具有(001)择优取向的PbTiO3薄膜。与常规晶化相比,快速晶化处理的薄膜结晶质量好,晶粒较小、分布均匀致密。
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