【摘 要】
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介绍了Ｃ波段高增益微封装ＧａＡｓ功率放大器的设计方法和研制过程，采用多级芯片集成于微封装管壳内，末级放大由功率合成方式实现，在５．０～６．０ＧＨｚ频率范围内，Ｐ１ｄＢ＞３６ｄＢｍ，Ｇｐ＞４０ｄＢ，ηａｄｄ＞３３％。
The design method and development
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介绍了Ｃ波段高增益微封装ＧａＡｓ功率放大器的设计方法和研制过程，采用多级芯片集成于微封装管壳内，末级放大由功率合成方式实现，在５．０～６．０ＧＨｚ频率范围内，Ｐ１ｄＢ＞３６ｄＢｍ，Ｇｐ＞４０ｄＢ，ηａｄｄ＞３３％。
The design method and development process of C-band high-gain micro-encapsulated GaAs power amplifier are introduced. The multi-level chip is integrated into the micro-encapsulated package. The final amplification is realized by power synthesis. In the frequency range of 5.0-6.0GHz, , P1dB> 36dBm, Gp> 40dB, ηadd> 33%.
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