论文部分内容阅读
LPCVD多晶硅薄膜发雾对CMOS器件性能有重大影响,文章分析了多晶硅薄膜发雾的形成机理与影响因素,指出了低温、低压以及保持气路系统的清洁是消除多晶＂发雾＂的有效措施。根据多晶硅薄膜雾状斑点的形状与分布位置,对硅片表面缺陷的来源进行了分类,并从清洗工艺、污染物成分分析、前道工序等方面提出了相应的解决措施。