【摘 要】
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湿法腐蚀是缺陷表征的主要方法，腐蚀效果取决于腐蚀剂和腐蚀时间。然而碳化硅具有很强的化学稳定性，普通的腐蚀剂难以对SiC造成腐蚀，熔融的KOH可以很好地进行选择性腐蚀，因此位错
【基金项目】
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国家自然科学基金（No.51302215）陕西省教育厅科研基金（No.11JK0916）
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湿法腐蚀是缺陷表征的主要方法，腐蚀效果取决于腐蚀剂和腐蚀时间。然而碳化硅具有很强的化学稳定性，普通的腐蚀剂难以对SiC造成腐蚀，熔融的KOH可以很好地进行选择性腐蚀，因此位错选择性腐蚀的效果不仅受腐蚀时间的影响，还受腐蚀温度的影响。该文采用KOH作为腐蚀剂，通过改变腐蚀温度和时间研究腐蚀参数对SiC单晶材料中位错选择性腐蚀形貌的影响。结果表明，在温度为440℃和500℃时，改变腐蚀时间对位错选择性腐蚀形貌影响并不明显，而在腐蚀温度为470℃下，腐蚀形貌随时间变化出现三种不同特点，即10min时欠腐蚀，20
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