一种高速片内电流监控器实现

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静态电流(IDDQ)测试的实现方法研究是IDDQ测试领域的重要内容之一,高速、高精度是共同追求的目标。通过分析测试向量改变时流过被测电路的电源电流变化情况,得出制约IDDQ测试速度的主要因素。基于此,采用CMOS0.5μm工艺参数、SPICE仿真工具和模拟集成电路设计规则,提出一种快速、高精度的BICS(片内电流监控器)的设计方案。设计中利用辅助的PMOS开关管和延迟电路,有效地解决测试速度问题。设计出的电路达到了100MHz的测试速率、1A测量精度、500mV的最大电源电压降、50μA以上的故障电
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