【摘 要】
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缺陷引起的非辐射复合会造成InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的光功率和外量子效率(EQE)降低,为了揭示其背后的物理原因,本文研究了Shockley-Read-Hall(SRH)复合相关的电子和空
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,天津市电子材料与器件重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(51502074),河北省自然科学基金(2017202052),天津市自然科学基金(16JCYBJC16200)
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缺陷引起的非辐射复合会造成InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的光功率和外量子效率(EQE)降低,为了揭示其背后的物理原因,本文研究了Shockley-Read-Hall(SRH)复合相关的电子和空穴在多量子阱(MQWs)区域的复合过程,以及缺陷对于载流子注入效率的影响。研究结果表明载流子的注入效率非常容易受到LED中缺陷的影响,尤其是在LED结构的p-GaN层和n-GaN层中。这将导致载流子被LED中的缺陷捕获,从而以非辐射复合的形式被大量消耗。最终,大大降低了载流子注入到多量子阱区域的效率,也正
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