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依据总剂量辐射对横向PNP (LPNP)管的损伤机理,设计了一种辐射加固的次表面LPNP管.开发了通过高能离子注入工艺实现LPNP管的工艺方法,该工艺与常规双极工艺兼容.总剂量辐射试验结果表明,采用次表面LPNP管制作的LW5101线性稳压器的抗辐射能力显著提高.
次表面横向PNP管制作及辐射效应研究
【摘 要】
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依据总剂量辐射对横向PNP (LPNP)管的损伤机理,设计了一种辐射加固的次表面LPNP管.开发了通过高能离子注入工艺实现LPNP管的工艺方法,该工艺与常规双极工艺兼容.总剂量辐射试
【机 构】
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西安微电子技术研究所,西安710065
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2020年4期
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