【摘 要】
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利用磁控溅射法在单晶硅基底上制备了200nm厚的坡莫合金薄膜,然后利用能量为500eV、束流密度为1mA/cm2的氩离子束分别以不同的入射角度对薄膜进行刻蚀。采用电感耦合等离子体
【机 构】
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兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(51202102);兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题(MMM2014014);高等学校仪器设备和优质资源共享系统项目管理中心项目(CERS-1-89)的经费支持
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利用磁控溅射法在单晶硅基底上制备了200nm厚的坡莫合金薄膜,然后利用能量为500eV、束流密度为1mA/cm2的氩离子束分别以不同的入射角度对薄膜进行刻蚀。采用电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）、多晶X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电子显微镜（SEM）对沉积薄膜的成分、晶体结构和微观形貌进行了测试和分析。利用探针式表面轮廓分析仪测量研究坡莫合金（Ni81Fe19）薄膜刻蚀速率与离子入射角度的关系。实验结果发现：随着氩离子束入射角度变大,坡莫合金薄膜的刻蚀速率逐渐变大;当氩离子束入射角度为50
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