【摘 要】
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为了研究不同压力下c-BN的力学性质、电子结构以及光学性质的变化,基于密度泛函理论构建了不同压力下c-BN的晶体模型.发现c-BN在不同压力下均力学稳定,随着压力增加,c-BN的弹
【机 构】
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沈阳工业大学石油化工学院,辽阳111003
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为了研究不同压力下c-BN的力学性质、电子结构以及光学性质的变化,基于密度泛函理论构建了不同压力下c-BN的晶体模型.发现c-BN在不同压力下均力学稳定,随着压力增加,c-BN的弹性常数逐渐增大,材料的可压缩性逐渐变差;c-BN在零压下的禁带宽度为4.367 eV,表明c-BN是间接宽带隙半导体,随着压力增加,c-BN的禁带宽度逐渐增大,态密度谱图变化不明显;对Milliken布居分布在不同压力下进行分析,表明随着压力增加,B、N原子杂化后形成的B-N共价性增强.对c-BN的复介电函数、折射率、反射率等进行分析,发现随着压力增大,它们都产生一定蓝移,且在整个可见光谱范围以及红外与紫外(约从204 nm开始)光谱的很大范围内都透明.研究结果对高压下c-BN的应用有一定参考价值.
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