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利用LDA＋U进行优化，在广义梯度近似下（GGA）采用第一性原理平面波赝势方法，对Cu掺杂的闪锌矿稀磁半导体B0.8375Cuo．0625N的电子结构和磁性进行研究．结果表明，Cu掺杂BN会产生自旋极化状态，能带结构显示半金属性质，掺杂后带隙变窄，计算所得磁矩为2．06μB，其铁磁性的形成主要是p-d电子杂化，这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值．