【摘 要】
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采用溶胶-凝胶法制备了不同Li摩尔配比含量的Zn1-xLixO室温铁磁性半导体。用XRD研究了Li含量和烧结温度对其微结构的影响。用VSM研究了Li晶格占位对其磁性能的影响。结果表明
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采用溶胶-凝胶法制备了不同Li摩尔配比含量的Zn1-xLixO室温铁磁性半导体。用XRD研究了Li含量和烧结温度对其微结构的影响。用VSM研究了Li晶格占位对其磁性能的影响。结果表明：当x小于等于0.02时,Zn1-xLixO为单一的纤锌矿六方结构ZnO,未发现杂质第二相。晶格常数减小,Li＋以替位的形式进入ZnO晶格。当x达到0.08时,晶格常数开始增加,Li＋从替位形式向间隙形式转换而进入ZnO晶格。当烧结温度从350℃升到450℃时,晶格常数减小,结晶性能提高。当x达到0.08时出现杂质第二相Li2
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