【摘 要】
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将PECVD方法制备的多层a-Si∶H/a-SiN_x∶H膜在N_2气氛中进行不同温度的退火处理后,利用红外吸收谱、核反应方法,次级离子质谱(SIMS)和透射电镜(TEM)对膜中氢从表面渗出及其
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将PECVD方法制备的多层a-Si∶H/a-SiN_x∶H膜在N_2气氛中进行不同温度的退火处理后,利用红外吸收谱、核反应方法,次级离子质谱(SIMS)和透射电镜(TEM)对膜中氢从表面渗出及其与温度的依赖关系进行了测试和分析。最后对氢的外扩散现象提出了几种可能的简单解释。
The multilayer a-Si: H / a-SiN_x:H films prepared by PECVD method were annealed at different temperatures in N 2 atmosphere, and then were characterized by IR, nuclear reaction, secondary ion mass spectrometry (SIMS) and transmission electron microscopy TEM) on the membrane hydrogen exudation from the surface and its temperature dependence of the test and analysis. Finally, several possible simple explanations of the phenomenon of hydrogen diffusion are proposed.
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