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通过对p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算,分析了同一样品处于不同氛围中,以及不同导电类型的样品处于同一氛围中的测算结果的变化规律,探讨了出现这一规律的内在机理,解释了各有关的物理现象.
半导体表面气体分子吸附机理的光伏研究
【摘 要】
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通过对p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算,分析了同一样品处于不同氛围中,以及不同导电类型的样品处于同一氛
【机 构】
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厦门大学物理系
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
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