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Study of Non-Ideal Effects for Extended Gate Field Effect Transistor Chlorine Ion Sensing Device

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liu0211yan

【摘 要】

：

<正>We use the extended gate field effect transistor (EGFET)as the structure of the chlorine ion sensor,and the chlorine ion ionophores (ETH9033 and TDDMAC1)are

【作 者】

：

Jung-Chuan Chou Pei-Lan Chou 

【机 构】

：

GraduateSchoolofElectronicEngineering,GraduateSchoolofOptoelectronics

【出 处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2006年A03期

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<正>We use the extended gate field effect transistor (EGFET)as the structure of the chlorine ion sensor,and the chlorine ion ionophores (ETH9033 and TDDMAC1)are incorporated into solvent polymeric membrane (PVC/DOS),then the chlorine ion selective me

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