【摘 要】
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采用单轨道最近邻紧束缚模型,我们研究了线缺陷的位置、类型和强度对扶手型石墨烯纳米带（AGNRs）能隙的调控.计算结果表明,对于带宽N为3n（n为整数）的半导体AGNRs,加一条位于Ni≠3m
【基金项目】
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国家自然科学基金（11074174）
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采用单轨道最近邻紧束缚模型,我们研究了线缺陷的位置、类型和强度对扶手型石墨烯纳米带（AGNRs）能隙的调控.计算结果表明,对于带宽N为3n（n为整数）的半导体AGNRs,加一条位于Ni≠3m-1的两体线缺陷后（N_i为缺陷位置,m为整数）,能隙关闭,纳米带呈金属性;而N=3n＋1的半导体AGNRs关闭能隙的两体线缺陷位置为Ni≠3m-2.对于带宽N=3n＋2的金属性AGNRs,可在Ni≠3m位置处加一条子格线缺陷打开能隙,使纳米带呈半导体性,同时在费米能附近出现一个波速为零的局域态;增加正常原子与缺陷原子
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