载流子扩散对电荷耦合器件调制传递函数的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zzdlily_5000

【摘要】

：

以表面沟道前射电荷耦合器件(CCD)为例，从理论上讨论了CCD内载流子扩散的机制，提出了利用光积分周期内收集的总信号电荷密度求CCD调制传递函数的方法，并获得了耗尽宽度随信号电

【作者】

：

宋敏张颖郐新凯郑亚茹

【机构】

：

大连民族学院机电信息工程系,辽宁师范大学物理系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

电荷耦合器件调制传递函数载流子扩散 charge-coupled devicemodulation transfer functioncarrier dif

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以表面沟道前射电荷耦合器件(CCD)为例，从理论上讨论了CCD内载流子扩散的机制，提出了利用光积分周期内收集的总信号电荷密度求CCD调制传递函数的方法，并获得了耗尽宽度随信号电荷密度改变时的CCD调制传递函数曲线，讨论了载流子扩散对传递函数的影响．利用已有的传递函数测量仪进行实验，数值模拟结果与实验结果基本吻合．

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