【摘 要】
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采用直流磁控溅射镀膜工艺在玻璃基片上沉积了具有良好c轴择优取向的ZnO薄膜。用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率均在85%以上;用XRD分析了退火前后薄膜的物相,并用原子力显
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采用直流磁控溅射镀膜工艺在玻璃基片上沉积了具有良好c轴择优取向的ZnO薄膜。用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率均在85%以上;用XRD分析了退火前后薄膜的物相,并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌。样品通过空气中退火,薄膜结晶质量明显提高,晶粒有所长大,取向更加一致。在室温下用荧光分光光度计分析了薄膜的发光特性,观测到明显的紫外光发射（波长为386 nm）和波峰为528 nm的一“绿带”宽峰。紫外发射是由于导带和价带之间的电子跃迁,宽峰是源于晶体的缺陷。
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