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硅基ＭＩＳ隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基光器件提供了可能性，报道了ＭＩＳ隧道发光二极管的制作 过程，电流电压和发射光谱特性，讨论了负阻现象和发光机理。
硅基MIS隧道二极管的研究
【摘 要】
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硅基ＭＩＳ隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基光器件提供了可能性，报道了ＭＩＳ隧道发光二极管的制作 过程，电流电压和发射光谱特性，讨论了负阻现象和发光机理。
【机 构】
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东南大学电子工程系,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1999年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金,集成光电子国家重点实验室基金
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