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采用传统陶瓷工艺制备了MgSiO3掺杂的防雷用ZnO压敏电阻。实验发现，掺杂0．04％的MgSi03（物质的量）能显著提高其电流-电压非线性、通流能力和电压梯度E1.0 ,且能降低样品的漏电流IL以及残压比V40KA/V1mA，其非线性系数α和压敏电压梯度分别高达120，180V／mm，样品正反面各五次通流40kA、8／20μs波后，残压比和压敏电压变化率△V1mA/V1mA分别仅为2．56和一2．9％，且漏电流变化很小。对样品的微观结构分析显示，其电学性能的提高和晶粒的均匀程度有关。