【摘 要】
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利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO
【机 构】
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吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023
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利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜.利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极.测试中采用500W的氙灯做测试光源,探测器的I-V特性曲线显示:正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长.不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375 nm附近.
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