飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

来源 :单片机与嵌入式系统应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pisahaochima

【摘要】

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经常有人将磁阻RAM(MRAM,Magnetoresistive Random Access Memory)称作是非易失性存储器(NVRAM, Non-Volatile RAM)未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以

【作者】

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飞思卡尔半导体公司

【出处】

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单片机与嵌入式系统应用

【发表日期】

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2007年9期

【关键词】

：

飞思卡尔扩展产品系列非易失性存储器高速缓冲器商业应用器件技术磁性材料高速度数据寿命闪存配置内存掉电电路磁阻

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经常有人将磁阻RAM(MRAM,Magnetoresistive Random Access Memory)称作是非易失性存储器(NVRAM, Non-Volatile RAM)未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性,它的寿命几乎是没有限制的.MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存,以及其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用.

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