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本文研究了pin型非晶硅（a-Si）太阳电池p／i界面掺碳缓冲层（C-bufferlayer）沉积时间对电池效率和稳定性的影响。研究发现，随着掺碳缓冲层沉积时间的增加，太阳电池的初始效率有所增加，当沉积时间增加到约60s时，电池的初始效率达最大值，而后随着沉积时间的继续增加，电池效率下降。而在太阳电池的稳定性方面，当缓冲层沉积时间小于50s时，随着沉积时间的增加，电池衰退率增大；大于50s后，电池的衰退率又随沉积时间的增大而减小。