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国家半导体公司开发了在栅长0．35μm重掺杂多晶硅上形成低阻硅化物（＜5Ω／）的新工艺技术。该硅化物形成工艺如下：首先，在硅圆片上做等离子体腐蚀，去除源、漏区和多晶硅上～20nm厚的氧化膜。接着，用10：1氢氨酸（HF）浸泡，然后作Ti溅射沉积。在作Ti溅射时，不进行in－Situ溅射腐蚀。之后，在氮气氛下，经过10～60S，在650～70℃下，用RTP形成硅化物。形成的TiN用NH4OH／H2O2起模（Strip）。第二次热处理处在850℃下，处理10s。根据研究，发现的最重要的计数因于（Scaling