K波段预失真电路设计

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sishenzhichi
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提出了一种基于单片集成电路的K波段预失真电路设计,采用GaAs 0.15μm HEMT工艺流片。该电路将主路信号与失真信号分离,利用并联分布的功放作为非线性产生器件,增大了两个功放输入功率差,具有较好的幅度和相位特性,芯片尺寸仅1.9mm×3.0mm。测试结果显示,在21GHz处,该预失真芯片可提供3dB增益扩张和20°相位压缩。级联功放后,在三阶交调抑制为-30dBc的条件下,功率放大器的输出功率从14dBm提高至17.5dBm。
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