半导体量子阱的自旋输运特性研究

来源 :云南大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:Bai_cat
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研究二维超晶格半导体异质节组成的量子系统,利用传输矩阵及平面波近似方法求出自旋不同取向电子的透射系数、自旋极化度、电导,研究结果显示,非自旋极化电子透射该异质节后可以获得很高的自旋极化度,也能得到较高的电导率.
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